ProjektePreiseInsights

SIC632ACD-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIC632ACD-T1-GE3 product

SIC632ACD-T1-GE3

Full Half-Bridge Drivers

DrMOSLeistungsstufe50A

Der SIC632ACD-T1-GE3 ist eine hocheffiziente 50-A-integrierte Leistungsstufe (DrMOS) für synchrone Abwärtswandler mit 3,3-V-PWM-Logikkompatibilität.

Ideal für

  • VCORE- und VGRAPHICS-Stromversorgung
  • Mehrphasige VRDs

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die 5-V-PWM-Logik erfordern (verwenden Sie stattdessen SiC632)

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität des PWM-Logikpegels
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Max. Strom
50 A
Eingangsspannung
4,5 V - 24 V
PWM-Logik
3,3 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8542390001.0

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

f2645b9aa5842bd8b52498235c55837a_2106080205_Vishay-Intertech-SIC632ACD-T1-GE3_C2653473.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIC632ACD-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 50-A-VRPower-integrierte Leistungsstufe (DrMOS) von Vishay Siliconix, die einen Gate-Treiber-IC und Leistungs-MOSFETs für kompakte Abwärtswandler kombiniert.