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SIC634CD-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIC634CD-T1-GE3 product

SIC634CD-T1-GE3

Full Half-Bridge Drivers

DrMOSLeistungsstufe50AVishay

Der SIC634CD-T1-GE3 ist eine leistungsstarke 50-A-integrierte Leistungsstufe (DrMOS), die für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler in Computer- und Industrieanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Hochstrom-Abwärtswandler
  • Intel IMVP-8-Plattformen
  • Kompakte VRM-Designs

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit niedrigem Strom, bei denen eine diskrete Lösung kostengünstiger ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität mit PWM-Controllern

Wichtige Specs

Dauerstrom
50 A
Eingangsspannung
4,5 V - 24 V
Schaltfrequenz
Bis zu 2 MHz

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8542310001.0

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

f35a07be66a5aaf57e96553389c709dd_2202131630_Vishay-Intertech-SIC634CD-T1-GE3_C2653472.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIC634CD-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 50-A-VRPower-integrierte Leistungsstufe von Vishay Siliconix, die einen Gate-Treiber und Leistungs-MOSFETs in einem kompakten 5 mm x 5 mm Gehäuse kombiniert.