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SIR182DP-T1-RE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIR182DP-T1-RE3 product

SIR182DP-T1-RE3

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VPowerPAK

Der SiR182DP ist ein leistungsstarker 60V N-Kanal-MOSFET im PowerPAK SO-8-Gehäuse, optimiert für Hochstrom-Leistungswandlung und Motorsteuerung.

Ideal für

  • Synchrongleichrichtung
  • DC/DC-Wandler
  • Motorantriebe

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Stromverbrauch, bei denen kleinere Gehäuse ausreichen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen und Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
117 A
RDS(on)
0,0028 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

LeistungswandlungMotorsteuerung

Datenblatt

a76507352e8aba514958d15db21f53f3_1912192107_Vishay-Intertech-SIR182DP-T1-RE3_C467943.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIR182DP-T1-RE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der SiR182DP ist ein 60V N-Kanal-MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET Gen IV-Technologie für hohe Effizienz in Leistungsanwendungen nutzt.