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SIR424DP-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIR424DP-T1-GE3-HXY product

SIR424DP-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET20V60A

Der SIR424DP-T1-GE3 ist ein 20V N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, der für Hochstromschaltungen und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Drain-Source-Spannung von >20V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
20V
ID
60A
RDS(on)
5mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

4bdeae1a1ae86c16196abe1a333d7542_2403261739_HXY-MOSFET-SIR424DP-T1-GE3-HXY_C22367005.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIR424DP-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.