ProjektePreiseInsights

SIR426DP-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIR426DP-T1-GE3 product

SIR426DP-T1-GE3

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal40VPowerPAK

Der SiR426DP-T1-GE3 ist ein 40V N-Kanal TrenchFET-MOSFET im PowerPAK SO-8-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Leistungswandlung
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >40V VDS
  • Designs, bei denen kein Platz für PowerPAK SO-8 vorhanden ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
30 A
RDS(on)
0,0105 Ohm
Qg
9,3 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

dab515b01719c866f83c53356f321cdb_1804240711_Vishay-Intertech-SIR426DP-T1-GE3_C52893.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIR426DP-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 40V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Effizienz nutzt.