ProjektePreiseInsights

SIR464DP-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIR464DP-T1-GE3-HXY product

SIR464DP-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VLeistung

Der SIR464DP-T1-GE3 ist ein 30V, 150A N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem flache oder nicht standardisierte Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Gehäusestromgrenzen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
150 A
RDS(ON)
2,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

16dddf33b5156f84129fa2f50b25e8fc_2403261736_HXY-MOSFET-SIR464DP-T1-GE3-HXY_C22366657.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIR464DP-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für hocheffiziente Schaltanwendungen.