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SIR468DP-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIR468DP-T1-GE3-HXY product

SIR468DP-T1-GE3-HXY

MOSFETs

MOSFETN-Kanal30VSGT

Der SIR468DP-T1-GE3 ist ein 30V N-Kanal SGT-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • Synchrongleichrichtung
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Spannungsfestigkeiten oder Durchsteckmontage erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Anforderungen.

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
60 A
RDS(on)
5,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungStromversorgung

Datenblatt

fd0e0993e3fd2654ab123823590b8eb2_2404231719_HXY-MOSFET-SIR468DP-T1-GE3-HXY_C22366999.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIR468DP-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal SGT-Enhancement-Mode-MOSFET für hocheffiziente Schaltanwendungen.