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SIR662DP-T1-GE3-JSM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIR662DP-T1-GE3-JSM product

SIR662DP-T1-GE3-JSM

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60V130A

Der SIR662DP-T1-GE3 ist ein 60V, 130A N-Kanal-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie für effiziente Schaltanwendungen nutzt.

Ideal für

  • Netzteile
  • DC-DC-Wandler
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedrigen Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Leiterplattenlayout für hohe Ströme

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
130 A
RDS(on)
3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIR662DP-T1-GE3-JSM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET für Hochstromanwendungen mit niedrigem Einschaltwiderstand.