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SIR802DP-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIR802DP-T1-GE3-HXY product

SIR802DP-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal20VDFN5X6

Der SIR802DP-T1-GE3 ist ein 20V N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung für 60A Dauerstrom

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
60 A
RDS(on)
5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

027a2fee72193f178837a0a60fc84eb9_2403261739_HXY-MOSFET-SIR802DP-T1-GE3-HXY_C22367006.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIR802DP-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und sich durch einen niedrigen RDS(on) auszeichnet.