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SIR836DP-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIR836DP-T1-GE3-HXY product

SIR836DP-T1-GE3-HXY

MOSFETs

N-KanalMOSFET40VDFN5X6-8L

Der SIR836DP-T1-GE3 ist ein 40V N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen für den Hochstrombetrieb

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
55 A
RDS(on)
8,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

103f13f5125b5d6c1f301e91ee1b8ec8_2406041712_HXY-MOSFET-SIR836DP-T1-GE3-HXY_C22366837.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIR836DP-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Leistungsschalt- und Batterieschutzanwendungen mit niedrigem RDS(on) und geringer Gate-Ladung.