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SIR876ADP-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIR876ADP-T1-GE3 product

SIR876ADP-T1-GE3

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VPowerPAK

Der SIR876ADP-T1-GE3 ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal TrenchFET-MOSFET für effiziente Schaltanwendungen in kompakten Designs.

Ideal für

  • DC/DC-Wandlung
  • Telekom-Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen effizientere Alternativen existieren

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
40 A
RDS(on)
0.0108 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

06bae4da4a5f075a9c2131227b800a0e_1806120931_Vishay-Intertech-SIR876ADP-T1-GE3_C114889.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIR876ADP-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein 100V N-Kanal Power-MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET-Technologie im PowerPAK SO-8 Gehäuse nutzt.