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SIRA12DP-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIRA12DP-T1-GE3-HXY product

SIRA12DP-T1-GE3-HXY

MOSFETs

N-KanalMOSFET30V120A

Der SIRA12DP-T1-GE3 ist ein 30V, 120A N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungsschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Spannungen deutlich über 30V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen bei hohen Strömen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
120 A
RDS(on)
3,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

4c6c06c5d9734996b5b860569447f903_2405061705_HXY-MOSFET-SIRA12DP-T1-GE3-HXY_C22366624.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIRA12DP-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit fortschrittlicher Trench-Technologie, der für Hochstrom-Schaltanwendungen entwickelt wurde.