ProjektePreiseInsights

SIRA60DP-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIRA60DP-T1-GE3 product

SIRA60DP-T1-GE3

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VPowerPAK

Der SIRA60DP-T1-GE3 ist ein leistungsstarker 30V N-Kanal TrenchFET Gen IV MOSFET im PowerPAK SO-8 Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandlung.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit VDS > 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
100 A
RDS(on)
0.00094 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

1399e1397b28b08bf0b49a9284efb5ae_1912200932_Vishay-Intertech-SIRA60DP-T1-GE3_C467954.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIRA60DP-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 30V N-Kanal Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET Gen IV Technologie für einen niedrigen Einschaltwiderstand nutzt.