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SiS407DN-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SiS407DN-HXY product

SiS407DN-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET20V30A

Der SiS407DN-HXY ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, der für Niederspannungs-Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Lastschaltung
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochspannungssysteme über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-30 A
RDS(on)
< 15 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

f2915dab97887c91080ee0977f3f3703_2209201730_HXY-MOSFET-SiS407DN-HXY_C5148684.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SiS407DN-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für Batterieschutz und Lastschaltung geeignet ist.