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SIS413DN-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIS413DN-T1-GE3-HXY product

SIS413DN-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30V55A

Der SIS413DN-T1-GE3 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, der für effiziente Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen, die extrem niedrige Gate-Kapazitäten erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
-30 V
Dauer-Drainstrom
-55 A
Einschaltwiderstand
11 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIS413DN-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.