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SIS414DN-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIS414DN-T1-GE3-HXY product

SIS414DN-T1-GE3-HXY

MOSFETs

N-KanalMOSFET30VDFN3X3

Der SIS414DN-T1-GE3 ist ein 30V, 20A N-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen mit niedriger Spannung.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
20 A
RDS(on)
15 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

4129adfdd30774a42262441aeb81000d_2403261738_HXY-MOSFET-SIS414DN-T1-GE3-HXY_C22366918.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIS414DN-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für effizientes Schalten mit niedrigem RDS(on) und geringer Gate-Ladung.