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SISB46DN-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SISB46DN-T1-GE3-HXY product

SISB46DN-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-Kanal40VSGT

Der SISB46DN-T1-GE3 ist ein dualer N-Kanal SGT-MOSFET, der für effiziente Stromversorgungs- und Motorsteuerungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrongleichrichtung
  • Motorsteuerung
  • Isolierte DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Spannungen oder Ströme über 40V/40A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
40 A
RDS(ON)
9,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungStromversorgung

Datenblatt

67c9e90069d4410ae82e8478a2d96f1b_2407151448_HXY-MOSFET-SISB46DN-T1-GE3-HXY_C22366987.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SISB46DN-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal SGT-Enhancement-Mode-MOSFET für das Energiemanagement.