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SISS27DN-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SISS27DN-T1-GE3 product

SISS27DN-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VPowerPAK

Der SiSS27DN ist ein leistungsstarker P-Kanal 30V TrenchFET-MOSFET im kompakten PowerPAK 1212-8S-Gehäuse, der sich hervorragend für Power-Management- und Schaltanwendungen eignet.

Ideal für

  • Notebooks
  • DC/DC-Wandler
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochspannungssysteme über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsfähigkeiten der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-50 A
RDS(on)
5,6 mOhm
Gehäuse
PowerPAK 1212-8S

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Power ManagementNotebooks

Datenblatt

Vishay-company-15.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SISS27DN-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der SiSS27DN ist ein P-Kanal 30 V TrenchFET-Leistungs-MOSFET, der für hocheffizientes Power-Management in kompakten elektronischen Geräten entwickelt wurde.