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SM6366ED1RL-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SM6366ED1RL-HXY product

SM6366ED1RL-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VLeistung

Der SM6366ED1RL ist ein leistungsstarker 30V N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für verlustarme Leistungsschaltungen.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei 120A Dauerstrom

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
120 A
RDS(on)
3,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

6291176b63c9ce4bc49a074efbcf8e99_2405061705_HXY-MOSFET-SM6366ED1RL-HXY_C22366625.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SM6366ED1RL-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für hocheffiziente Schaltanwendungen.