SM6442D1RL-HXY Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

SM6442D1RL-HXY product

Der SM6442D1RL ist ein 40V N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, der für Hochstrom-Schaltanwendungen wie Batterieschutz und Lastschalter optimiert ist.

Ideal für

Batterieschutz
Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeabfuhr-Anforderungen

Wichtige Specs

VDS: 40 V
ID: 70 A
RDS(on): 8.5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SM6442D1RL-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit niedrigem RDS(ON) und hoher Strombelastbarkeit für Leistungsschaltanwendungen.