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SMBT3904DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SMBT3904DW1T1G product

SMBT3904DW1T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Dual NPNBJTSOT-363

Der SMBT3904DW1T1G ist ein duales NPN-Allzweck-BJT-Transistor-Array im SOT-363-Gehäuse, ideal für platzsparende Anwendungen in der Signalverstärkung und Schaltungstechnik.

Ideal für

  • Signalverstärkung mit geringer Leistung
  • Platzsparende Leiterplatten

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 150mW Gesamtverlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

Transistortyp
2 NPN (Dual)
VCEO
40 V
IC
200 mA
hFE
100 - 300

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

Allgemeine Verstärkeranwendungen

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SMBT3904DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein duales NPN-Allzweck-Bipolartransistor-Array (BJT) in einem 6-poligen SOT-363-Gehäuse für die Oberflächenmontage.