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SMS252010-6R8MT KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SMS252010-6R8MT product

SMS252010-6R8MT

Chokes

SMD-InduktorLeistungsinduktor2520 Gehäuse

Der SMS252010-6R8MT ist ein 6,8 µH geformter SMD-Leistungsinduktor für Anwendungen mit hoher Dichte und hohem Strom.

Ideal für

  • DC/DC-Wandlung
  • Notebooks
  • 5G-Module

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen DCR unter 100 mΩ erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Spitzenstromanforderungen

Wichtige Specs

Induktivität
6,8 µH
Sättigungsstrom
2,4 A
DCR (Typ)
270 mΩ
Gehäuse
2520

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SMS252010-6R8MT laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 6,8 µH SMD-Leistungsinduktor im 2520-Gehäuse, der für flache Anwendungen mit hohem Strom optimiert ist.