SMT8N60 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Shenzhen HUAKE Semiconductor Co., Ltd. | PartGenie

KI-Zusammenfassung

SMT8N60 product

Der SMT8N60 ist ein 600V, 8A N-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltnetzteile und PFC-Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

Schaltnetzteile
Aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die einen extrem niedrigen Rds(on) oder SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerungsanforderungen

Wichtige Specs

Vdss: 600 V
Id: 8 A
Rds(on): 1,0 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SMT8N60 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der SMT8N60 ist ein 600V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von HUAKE, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.