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SMTDR32-1R2M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SMTDR32-1R2M product

SMTDR32-1R2M

Chokes

LeistungsinduktivitätSMD1,2uH

Die SMTDR32-1R2M ist eine 1,2uH ungeschirmte SMT-Leistungsinduktivität von 3L Electronic Corporation, geeignet für DC-DC-Wandler und tragbare Elektronik.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Tragbare Elektronik

Vermeiden, wenn

  • Umgebungen mit hohen EMI-Anforderungen, die geschirmte Induktivitäten erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Betriebstemperaturbereich und Stromanforderungen

Wichtige Specs

Induktivität
1,2uH
Nennstrom
2,1A
Gleichstromwiderstand
50mΩ
Toleranz
±20%

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

3183268a0588003328bf0cf29bd76b2f_2304140030_3L-COILS-SMTDR32-1R2M_C326179.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SMTDR32-1R2M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine oberflächenmontierbare Leistungsinduktivität mit einem Induktivitätswert von 1,2uH, die für Energiemanagementschaltungen entwickelt wurde.