SMTDR32-8R2M Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | 3L Electronic Corporation | PartGenie

KI-Zusammenfassung

SMTDR32-8R2M product

Der SMTDR32-8R2M ist eine ungeschirmte SMT-Leistungsinduktivität mit 8,2uH Induktivität und 920mA Nennstrom, ideal für DC-DC-Wandler in kompakten Geräten.

Ideal für

DC-DC-Wandler
Tragbare Elektronik

Vermeiden, wenn

Umgebungen mit hohen EMI-Anforderungen

Vor der Verwendung prüfen

Abmessungen und PCB-Footprint

Wichtige Specs

Induktivität: 8,2 uH
Nennstrom: 920 mA
DCR: 250 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SMTDR32-8R2M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine ungeschirmte SMD-Leistungsinduktivität der 3L Electronic Corporation mit einem Induktivitätswert von 8,2uH.