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SMUN5311DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SMUN5311DW1T1G product

SMUN5311DW1T1G

Pre-Biased

BRTVor-vorgespanntKomplementärSOT-363

Der SMUN5311DW1T1G ist ein komplementärer, vor-vorgespannter Transistor (BRT) im SOT-363-Gehäuse, ideal für platzsparende Schalt- und Schnittstellenanwendungen.

Ideal für

  • Digitale Schaltanwendungen
  • Schnittstellenschaltungen
  • Platzkritische Designs

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100mA
  • Anwendungen, die Hochgeschwindigkeitsschalten erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Kurven
  • Eingangsspannungsschwellen

Wichtige Specs

Transistortyp
NPN + PNP
Widerstandsnetzwerk
10k / 10k
VCEO
50 V
IC
100 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

Allgemeines SchaltenIndustrielle Schnittstellen

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SMUN5311DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen komplementären Bias-Resistor-Transistor (BRT), der einen NPN- und einen PNP-Transistor mit jeweils einem internen 10k/10k-Widerstandsnetzwerk in einem einzigen SOT-363-Gehäuse vereint.