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SNR2010K-3R3M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SNR2010K-3R3M product

SNR2010K-3R3M

Chokes

LeistungsinduktivitätSMD3,3µH

Die SNR2010K-3R3M ist eine abgeschirmte 3,3µH-Leistungsinduktivität für kompakte SMD-Anwendungen.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • tragbare Elektronik
  • Energiemanagement-Module

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 1A
  • extreme Vibrationsumgebungen ohne geeignete Befestigung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung in Layouts mit hoher Dichte

Wichtige Specs

Induktivität
3,3 µH
DCR
345 mΩ
Sättigungsstrom
1 A

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SNR2010K-3R3M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine abgeschirmte Leistungsinduktivität von 3L Electronic Corporation mit 3,3µH, die für platzsparende Leiterplattendesigns optimiert ist.