Es handelt sich um einen 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Siliup, der auf fortschrittlicher Split-Gate-Trench-Technologie basiert.
SP010N01BGHTO KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- VDS
- 100 V
- ID
- 370 A
- RDS(on)
- 1,1 mΩ
Anwendung
EnergiemanagementMotorsteuerung
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
