SP010N02GHTO Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Siliup | PartGenie

KI-Zusammenfassung

SP010N02GHTO product

Der SP010N02GHTO ist ein 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TOLL-Gehäuse mit 1,6mΩ Einschaltwiderstand und 260A Strombelastbarkeit, ideal für hocheffiziente Stromwandler.

Ideal für

DC-DC-Wandler
Energiemanagementsysteme
Industrielle Motorantriebe

Vermeiden, wenn

Platzkritische Designs, bei denen der TOLL-Footprint zu groß ist.
Anwendungen mit geringem Strombedarf.

Vor der Verwendung prüfen

Anforderungen an die Gate-Ansteuerspannung.
Wärmeableitungskapazitäten der Leiterplatte.

Wichtige Specs

VDS: 100 V
ID: 260 A
RDS(on): 1,6 mΩ
Gehäuse: TOLL

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

LeistungsschaltungDC-DC-Wandler

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SP010N02GHTO laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der SP010N02GHTO ist ein 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Siliup, der für Hochstromanwendungen im TOLL-Gehäuse konzipiert ist.