Es handelt sich um einen 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit fortschrittlicher Split-Gate-Trench-Technologie, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde.
SP010N03AGHTO KI-Analyse:
Spezifikationen, Anwendungen und Alternativen
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- VDS
- 100 V
- ID
- 240 A
- RDS(on)
- 2,6 mΩ
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
EnergieverwaltungPWM-Schaltungen
Datenblatt
CAD-Modelle
EDA-Symbol, PCB-Footprint und 3D-Modell für dieses Bauteil. Unterstützte Tools: Altium, KiCad, Eagle und mehr.
EDA Symbol
Schematic symbol for your EDA tool
PCB Footprint
Land pattern for PCB layout
3D Model
STEP file for mechanical design
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
