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SP25N120CTF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SP25N120CTF product

SP25N120CTF

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VTO-247

Der SP25N120CTF ist ein 1200V SiC-MOSFET von Siliup, der für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Hochspannungs-Leistungswandlung
  • Wechselrichter für erneuerbare Energien
  • Industrielle Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermisches Design

Wichtige Specs

VDS
1200 V
ID
25 A
RDS(on)
60 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

4be120b326e0aef1a705b21e1cecab1f_2406171507_Siliup-SP25N120CTF_C22466832.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SP25N120CTF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1200V Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET mit einem kontinuierlichen Drain-Strom von 25A und einem Einschaltwiderstand von 60mΩ im TO-247-Gehäuse.