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SP25N120CTK KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SP25N120CTK product

SP25N120CTK

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VLeistungselektronik

Der SP25N120CTK ist ein 1200V SiC-MOSFET, der für hocheffiziente Leistungswandlung in industriellen und erneuerbaren Energieanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Hocheffiziente Leistungswandlung
  • Industrielle Motorantriebe
  • Wechselrichter für erneuerbare Energien

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen SiC nicht kosteneffizient ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Gate-Treiberspannung
  • Thermische Verlustleistung

Wichtige Specs

VDS
1200 V
ID
25 A
RDS(on)
60 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

f46d8e6668938f9d8a157a6b2531c384_2406171507_Siliup-SP25N120CTK_C22466831.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SP25N120CTK laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1200V Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET von Siliup, der in einem 4-Pin TO-247-4L-Gehäuse für verbesserte Schaltleistung untergebracht ist.