SQ2303ES-T1_GE3-HXY Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

SQ2303ES-T1_GE3-HXY product

Der SQ2303ES-T1_GE3 ist ein 30V P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Schalt- und Energiemanagementanwendungen optimiert ist.

Ideal für

Batterieschutz
Lastschalter
PWM-Anwendungen

Vermeiden, wenn

Anwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

Gate-Ansteuerspannung
Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS: -30 V
ID: -4,1 A
RDS(on): 48 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Yes
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

513036d6bda93d54bffdec5773f4bca8_2403251608_HXY-MOSFET-SQ2303ES-T1-GE3-HXY_C22367270.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SQ2303ES-T1_GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung ausgelegt ist.