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SQ2309ES-T1_GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SQ2309ES-T1_GE3-HXY product

SQ2309ES-T1_GE3-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-2360V

Der SQ2309ES-T1-GE3 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit -60V und -2A im SOT-23-Gehäuse, optimiert für kleine Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 2A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Grenzen des SOT-23-Gehäuses

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-2 A
RDS(on)
<200 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

6ac8f16139f54349a9812836756c1d1b_2403251636_HXY-MOSFET-SQ2309ES-T1-GE3-HXY_C22366720.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SQ2309ES-T1_GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für kleine Schalt- und PWM-Anwendungen entwickelt wurde.