ProjektePreiseInsights

SQ2337ES-T1_GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SQ2337ES-T1_GE3 product

SQ2337ES-T1_GE3

MOSFETs - Single

AutomobilP-KanalMOSFET80V

Der SQ2337ES ist ein P-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET mit 80 V im SOT-23-Gehäuse, der für anspruchsvolle Automobilanwendungen qualifiziert ist.

Ideal für

  • Automobil-Steuerschaltungen
  • Hochtemperatur-Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen kontinuierlichen Strom von mehr als 2,2 A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand RthJA (166 °C/W)

Wichtige Specs

VDS
-80 V
ID
-2,2 A
RDS(on)
0,290 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

AutomobilEnergieverwaltung

Datenblatt

3d16a0cf79d778d1275eef0a8f04393f_2303082030_Vishay-Intertech-SQ2337ES-T1-GE3_C428742.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SQ2337ES-T1_GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 80-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix, der für den Einsatz in der Automobilindustrie (AEC-Q101) qualifiziert ist.