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SQ2348ES-T1_GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SQ2348ES-T1_GE3-HXY product

SQ2348ES-T1_GE3-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalSOT-23

Der SQ2348ES-T1_GE3 ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
5,8 A
RDS(on)
22 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

0eb5b7fbfa967ae9245a501f1418847f_2403251636_HXY-MOSFET-SQ2348ES-T1-GE3-HXY_C22366718.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SQ2348ES-T1_GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für kompakte Schaltanwendungen.