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SQ2362ES-T1_GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SQ2362ES-T1_GE3-HXY product

SQ2362ES-T1_GE3-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VSOT-23

Der SQ2362ES-T1_GE3 ist ein 60V, 5A N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, ideal für Lastschalt- und PWM-Anwendungen.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung
  • Batteriemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Dauerströmen deutlich über 5A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung aufgrund der SOT-23-Gehäusebeschränkungen

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
5 A
RDS(on)
49 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

d6fb915114c9dda8025b08b8ce51a496_2403251636_HXY-MOSFET-SQ2362ES-T1-GE3-HXY_C22366916.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SQ2362ES-T1_GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.