ProjektePreiseInsights

SQ4946AEY-T1_GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SQ4946AEY-T1_GE3-HXY product

SQ4946AEY-T1_GE3-HXY

FETs

MOSFETDual N-Kanal60V

Der SQ4946AEY-T1_GE3 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Batterieschutz- und Lastschaltanwendungen mit einer Nennspannung von 60V optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschaltung
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Strom- oder Spannungswerte erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
6,5 A
RDS(on)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzLastschaltung

Datenblatt

b5c3f4bc69e1bda5a88c6818eabb4147_2403251638_HXY-MOSFET-SQ4946AEY-T1-GE3-HXY_C22366493.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SQ4946AEY-T1_GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für Schaltanwendungen entwickelt wurde und fortschrittliche Trench-Technologie nutzt.