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SQ9945BEY-T1_GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SQ9945BEY-T1_GE3-HXY product

SQ9945BEY-T1_GE3-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-Kanal60V

Der SQ9945BEY-T1_GE3 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, ausgelegt für 60V, 6.5A Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem hohe Zuverlässigkeit oder lebenserhaltende Systeme erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
6.5 A
RDS(ON)
< 36 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

723620a01d7e54f322c5f1b88b21af15_2403251637_HXY-MOSFET-SQ9945BEY-T1-GE3-HXY_C22366498.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SQ9945BEY-T1_GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie nutzt, um einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung zu erreichen.