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SQD19P06-60L_GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SQD19P06-60L_GE3-HXY product

SQD19P06-60L_GE3-HXY

FETs

P-KanalMOSFET60VDPAK

Der SQD19P06-60L_GE3 ist ein P-Kanal-MOSFET mit 60V und 30A im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Sehr platzkritische Designs, bei denen DPAK zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-30 A
RDS(ON)
33 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementLastschaltung

Datenblatt

29efabdf1af4d769820ff91a24288236_2403251609_HXY-MOSFET-SQD19P06-60L-GE3-HXY_C22367143.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SQD19P06-60L_GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung nutzt.