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SQD19P06-60L_GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SQD19P06-60L_GE3 product

SQD19P06-60L_GE3

MOSFETs - Single

AutomobilP-KanalMOSFET

Der SQD19P06-60L_GE3 ist ein robuster P-Kanal TrenchFET-MOSFET von Vishay Siliconix, ausgelegt für 60V und 20A, speziell qualifiziert für Automobilanwendungen.

Ideal für

  • Automotive-Leistungsschaltung
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine N-Kanal-Polarität erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistungsgrenzen

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-20 A
RDS(on)
0,055 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

AutomobilEnergieverwaltung

Datenblatt

97c8b71527afc7783ae005c1b227c36d_1804250226_Vishay-Intertech-SQD19P06-60L-GE3_C143665.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SQD19P06-60L_GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 60V P-Kanal Leistungs-MOSFET im TO-252 Gehäuse, der nach AEC-Q101 für den Automobilbereich qualifiziert ist.