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SQJ457EP-T1_GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SQJ457EP-T1_GE3 product

SQJ457EP-T1_GE3

MOSFETs - Single

AutomobilP-KanalMOSFET

Der SQJ457EP ist ein leistungsstarker, für die Automobilindustrie qualifizierter P-Kanal-MOSFET mit 60V und 36A, der für anspruchsvolle Schaltanwendungen ausgelegt ist.

Ideal für

  • Automotive-Schaltanwendungen
  • Lastmanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Polarität erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-36 A
RDS(on)
0,0250 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

AutomobilEnergieverwaltung

Datenblatt

ea51aebb969b48d0b4421f7cdc1a56c0_2004181602_Vishay-Intertech-SQJ457EP-T1-GE3_C511548.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SQJ457EP-T1_GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen für die Automobilindustrie qualifizierten P-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix, der für den Betrieb bei hohen Temperaturen bis zu 175 °C ausgelegt ist.