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SQJ479EP-T1_GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SQJ479EP-T1_GE3 product

SQJ479EP-T1_GE3

MOSFETs - Single

AutomobilP-KanalMOSFET80V

Der SQJ479EP ist ein AEC-Q101-qualifizierter 80V P-Kanal TrenchFET-MOSFET im PowerPAK SO-8L-Gehäuse für anspruchsvolle Automobilanwendungen.

Ideal für

  • Automotive-Leistungsschalter
  • Hochtemperaturumgebungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Polarität erfordern
  • Logikpegel-Schaltungen unter -4,5V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-80 V
ID
-32 A
RDS(on)
0,033 Ω
Betriebstemp.
175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

AutomobilEnergieverwaltung

Datenblatt

826eddb343cbfc9ac36dc492dc49fcef_1806140421_Vishay-Intertech-SQJ479EP-T1-GE3_C141604.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SQJ479EP-T1_GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der SQJ479EP ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix, der speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie (AEC-Q101) qualifiziert ist.