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SRP3212A-4R7M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SRP3212A-4R7M product

SRP3212A-4R7M

Chokes

GeschirmtAEC-Q200LeistungsinduktivitätSMD

Die Bourns SRP3212A-4R7M ist eine geschirmte Leistungsinduktivität mit 4,7 µH in einem 1210-Gehäuse, die für Anwendungen mit hohem Strombedarf, niedrigem Gleichstromwiderstand (DCR) und AEC-Q200-Zuverlässigkeit entwickelt wurde.

Ideal für

  • Automobilelektronik
  • DC-DC-Wandler
  • Stromversorgungssysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Sättigungsströme über 2,8 A erfordern
  • Designs mit Platzbeschränkungen unter 3,2 x 2,5 mm

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Werte basierend auf Ihrem PCB-Layout und Luftstrom
  • Induktivitätsabfall bei Ihrem spezifischen Betriebsstrom anhand der bereitgestellten L-I-Diagramme

Wichtige Specs

Induktivität
4,7 µH
Nennstrom
2,2 A
Max. DCR
146 mΩ
Gehäuse
1210

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilStromversorgungen

Datenblatt

a27ccb29ea5ab119e40b1a7f6fb50f2c_2312011957_BOURNS-SRP3212A-4R7M_C19190305.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SRP3212A-4R7M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine geschirmte Leistungsinduktivität von Bourns, die einen Metalllegierungspulverkern und Flachdrahtkonstruktion verwendet, um einen hohen Sättigungsstrom und einen niedrigen Gleichstromwiderstand (DCR) in einem kompakten 1210-SMD-Gehäuse zu erreichen.