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SSM3J332R-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SSM3J332R-HXY product

SSM3J332R-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VSOT-23

Der SSM3J332R ist ein P-Kanal-MOSFET (-30V, -4.2A) im SOT-23-3L-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Schwellenspannung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-4.2 A
RDS(ON) (10V)
< 54 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzLastschaltung

Datenblatt

c868e09bfc738a2bca49c2947208cc90_2309151201_HXY-MOSFET-SSM3J332R-HXY_C6285743.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SSM3J332R-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für Niederspannungs-Schaltanwendungen geeignet ist.