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SSM3J358R-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SSM3J358R-HXY product

SSM3J358R-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23-3L

Der SSM3J358R ist ein P-Kanal-MOSFET für Niederspannungs-Schaltanwendungen und Batterieschutz mit -20V VDS und -7A ID.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • PWM-Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über -20V
  • Anwendungen mit Strömen deutlich über 7A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-7 A
RDS(ON)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SSM3J358R-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der Trench-Technologie nutzt, um eine niedrige Gate-Ladung und einen niedrigen RDS(ON) bei Gate-Spannungen ab 2,5V zu erreichen.