Es handelt sich um einen Silizium-N-Kanal-MOSFET (U-MOS VIII-H) von Toshiba, der für hocheffizientes Schalten entwickelt wurde.
SSM3K361R,LF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Vdss
- 100 V
- Id
- 3.5 A
- Rds(on)
- 51 mΩ (typ)
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- REACH Unaffected
- MSL
- 1 (Unlimited)
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
Anwendung
EnergiemanagementAutomobil
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für SSM3K361R,LF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
