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ST36N10D-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ST36N10D-HXY product

ST36N10D-HXY

MOSFETs

MOSFETN-Kanal100VTO-252

Der ST36N10D ist ein N-Kanal-MOSFET mit 100V und 30A im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten in Batterie- und Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Leiterplattenlayout für die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
30 A
RDS(on)
48 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

64bed6182fea9271755079ef41295441_2403261740_HXY-MOSFET-ST36N10D-HXY_C22367066.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ST36N10D-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für 100V und 30A ausgelegt ist.