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STD12NF06LT4-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STD12NF06LT4-HXY product

STD12NF06LT4-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VTO-252

Der STD12NF06LT4 ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem hohen Zuverlässigkeitsanforderungen (Lebenserhaltung)

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
20 A
RDS(on)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

b8c20f56a44f056bf11c86d470fb1767_2404231719_HXY-MOSFET-STD12NF06LT4-HXY_C22366912.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STD12NF06LT4-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung nutzt.