Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen unter Verwendung fortschrittlicher Trench-Technologie entwickelt wurde.
STD20NF06L-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Drain-Source-Spannung
- 60 V
- Dauer-Drainstrom
- 20 A
- Einschaltwiderstand
- 32 mΩ
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
EnergiemanagementIndustrielle Schalttechnik
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für STD20NF06L-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
